1. PECVD의 탄생 배경: CVD의 온도 한계를 극복하다일반적인 CVD 공정은 높은 열 에너지를 가해 원료 가스(Precursor)의 화학 반응을 유도합니다. 이 방식은 막의 품질이 우수하다는 장점이 있지만, **고온(수백 °C 이상)**에서 진행되어 다음과 같은 문제가 발생할 수 있습니다.하부 회로 손상: 이미 만들어진 민감한 트랜지스터나 금속 배선이 고온에 의해 손상될 수 있습니다.열 응력 발생: 서로 다른 물질들이 높은 온도 변화를 겪으며 팽창/수축하여 응력(Stress)이 발생하고, 이는 소자의 신뢰성을 저하시킬 수 있습니다.열 예산(Thermal Budget) 제약: 반도체 공정은 여러 단계를 거치면서 누적되는 열 노출이 전체 소자의 특성에 영향을 미치는데, CVD의 고온은 이 열 예산을 빠..
