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1. PECVD의 핵심: 플라즈마 발생 방식 (Plasma Generation Methods)PECVD 공정에서 플라즈마를 생성하는 방식은 챔버의 형태와 플라즈마의 특성을 결정하며, 이는 증착될 박막의 품질에 직접적인 영향을 미칩니다. 가장 대표적인 두 가지 방식은 평행판형과 유도 결합형입니다.① 평행판형 PECVD (Parallel Plate PECVD)가장 기본적이고 널리 사용되는 방식입니다.구조: 두 개의 평행한 전극판으로 구성됩니다. 웨이퍼는 보통 아래쪽 전극(서셉터, Susceptor) 위에 놓이고, 위쪽 전극(샤워 헤드, Shower Head)은 원료 가스를 분사하는 역할을 겸합니다.원리: 두 전극 사이에 고주파(RF) 전력을 인가하면, 전기장 속에서 자유 전자가 가스 분자와 충돌하며 플라즈마..

반도체 공정에서 자주 등장하는 단어 중 하나가 **플라즈마(Plasma)**입니다.특히 **식각(Etching)**이나 박막 증착(Deposition) 등 미세한 가공을 필요로 하는 공정에서는 고에너지 상태의 플라즈마를 활용합니다.이 플라즈마를 생성하는 방식에는 여러 가지가 있지만, 그 중 가장 널리 사용되는 두 가지가 바로 **ICP(유도 결합 플라즈마)**와 **CCP(정전 결합 플라즈마)**입니다.오늘은 이 두 방식의 원리, 구조, 그리고 차이점을 쉽게 비교해보겠습니다.🔹 CCP (Capacitively Coupled Plasma) – 정전 결합 방식CCP는 전극 사이에 RF 전력을 가해 전기장을 형성하고,그 전기장이 가스를 이온화하여 플라즈마를 생성하는 방식입니다.전극 구조: 두 개의 평행한 전..