반도체 공정에서 자주 등장하는 단어 중 하나가 **플라즈마(Plasma)**입니다.특히 **식각(Etching)**이나 박막 증착(Deposition) 등 미세한 가공을 필요로 하는 공정에서는 고에너지 상태의 플라즈마를 활용합니다.이 플라즈마를 생성하는 방식에는 여러 가지가 있지만, 그 중 가장 널리 사용되는 두 가지가 바로 **ICP(유도 결합 플라즈마)**와 **CCP(정전 결합 플라즈마)**입니다.오늘은 이 두 방식의 원리, 구조, 그리고 차이점을 쉽게 비교해보겠습니다.🔹 CCP (Capacitively Coupled Plasma) – 정전 결합 방식CCP는 전극 사이에 RF 전력을 가해 전기장을 형성하고,그 전기장이 가스를 이온화하여 플라즈마를 생성하는 방식입니다.전극 구조: 두 개의 평행한 전..
